MOS structure

См. также в других словарях:

• MOS structure — MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS structure vok. MOS Struktur, f rus. МОП структура, f pranc. structure MOS, f ryšiai: palygink – metalo oksido puslaidininkio darinys …   Radioelektronikos terminų žodynas

• composite-gate MOS structure — MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. composite gate MOS; composite gate MOS structure; stacked gate MOS structure vok. Mehrebenengate MOS Struktur, f rus. МОП структура с многоуровневыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• stacked-gate MOS structure — MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. composite gate MOS; composite gate MOS structure; stacked gate MOS structure vok. Mehrebenengate MOS Struktur, f rus. МОП структура с многоуровневыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• n-MOS structure — MOP darinys su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel MOS; n channel MOS structure; n MOS structure vok. n Kanal MOS Struktur, f rus. n канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом n типа, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• n-channel MOS structure — MOP darinys su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel MOS; n channel MOS structure; n MOS structure vok. n Kanal MOS Struktur, f rus. n канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом n типа, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• complementary MOS structure — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• enhancement/depletion MOS structure — praturtintosios ir nuskurdintosios veikos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement/depletion MOS; enhancement/depletion MOS structure vok. Enhancement/Depletion MOS Struktur, f; MOS Struktur des Anreicherungs… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• polycrystalline silicon-gate MOS structure — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• refractory-metal gate MOS structure — MOP darinys su sunkialydžio metalo užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. refractory MOS; refractory metal gate MOS structure vok. MOS Struktur mit dem Gate aus schwerschmelzendem Metall, f; Refractory MOS Struktur, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• back-gate MOS structure — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

• trench double-diffusion MOS structure — grioveliais izoliuotas dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. trench double diffusion MOS; trench double diffusion MOS structure vok. Doppeldiffusion MOS Struktur mit Isolationsgräben, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas